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刘先生 
电话：0755-29837982
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何小姐
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一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。
整流二极管
Type
I(AV)
Vrrm
IFSM
Vfm
Irm@Vrrm
Package
@Irm
Vfm
V(AV)
TA=25°C
TA=100°C
A
V
A
V
A
UA
UA
1A1
1
50
25
1
1
5
50
R-1
1A2
1
100
25
1
1
5
50
1A3
1
200
25
1
1
5
50
1A4
1
400
25
1
1
5
50
1A5
1
600
25
1
1
5
50
1A6
1
800
25
1
1
5
50
1A7
1
1000
25
1
1
5
50
1N4001
1
50
30
1
1
5
50
DO-41
1N4002
1
100
30
1
1
5
50
1N4003
1
200
30
1
1
5
50
1N4004
1
400
30
1
1
5
50
1N4005
1
600
30
1
1
5
50
1N4006
1
800
30
1
1
5
50
1N4007
1
1000
30
1
1
5
50
1N4007*
1
1200
30
1
1
5
50
RL101
1
50
30
1
1
5
50
A-405
RL102
1
100
30
1
1
5
50
RL103
1
200
30
1
1
5
50
RL104
1
400
30
1
1
5
50
RL105
1
600
30
1
1
5
50
RL106
1
800
30
1
1
5
50
RL107
1
1000
30
1
1
5
50
1N5391
1.5
50
50
1
1.5
5
50
DO-15
1N5392
1.5
100
50
1
1.5
5
50
1N5393
1.5
200
50
1
1.5
5
50
1N5394
1.5
300
50
1
1.5
5
50
1N5395
1.5
400
50
1
1.5
5
50
1N5396
1.5
500
50
1
1.5
5
50
1N5397
1.5
600
50
1
1.5
5
50
1N5398
1.5
800
50
1
1.5
5
50
1N5399
1.5
1000
50
1
1.5
5
50
1N5399*
1.5
1200
50
1
1.5
5
50
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